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      氮化鎵(GaN氮?dú)夂嫦洌┦且环N寬禁帶半導(dǎo)體材料
      來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2024-04-28 | 1209 次瀏覽 | 分享到:
      氮化鎵(GaN氮?dú)夂嫦洌┦且环N寬禁帶半導(dǎo)體材料。GaN產(chǎn)業(yè)范疇大致包括:GaN單晶襯底(以SiC、Si、藍(lán)寶石為襯底)、GaN材料外延、器件設(shè)計以及器件制造。國內(nèi)氮化鎵企業(yè)以IDM模式為主,充分挖掘行業(yè)技術(shù)潛力,且有條件率先實(shí)驗并推行新技術(shù)。隨著行業(yè)規(guī)模不斷拓展, 設(shè)計與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開始出現(xiàn)分工。

            氮化鎵(GaN氮?dú)夂嫦?/strong>)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度達(dá)到3.4eV,是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料之一。

            第三代半導(dǎo)體因為具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力,更適合制作高溫、高頻、大功率及抗輻照器件,可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域,包括射頻通信、雷達(dá)、衛(wèi)星、電源管理、汽車電子、工業(yè)電力電子等。

            GaN產(chǎn)業(yè)范疇大致包括:GaN單晶襯底(以SiC、Si、藍(lán)寶石為襯底HMDS烘箱)、GaN材料外延氮?dú)夂嫦?/span>、器件設(shè)計以及器件制造。國內(nèi)氮化鎵企業(yè)以IDM模式為主,充分挖掘行業(yè)技術(shù)潛力,且有條件率先實(shí)驗并推行新技術(shù)。隨著行業(yè)規(guī)模不斷拓展, 設(shè)計與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開始出現(xiàn)分工。

            氮化鎵射頻器件主要應(yīng)用于軍用雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、5G 基站等方面,由于涉及國家安全,海外企業(yè)對高性能氮化鎵器氮?dú)夂?/span>件實(shí)行對華禁運(yùn)。在國產(chǎn)替代的迫切要求下,相關(guān)氮化鎵射頻器件企業(yè)已逐步打破國外壟斷,取得技術(shù)進(jìn)步。

      圖片


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