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      國內(nèi)團隊在2D半導(dǎo)體(氮氣烘箱)上取得了新突破
      來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2022-05-13 | 1174 次瀏覽 | 分享到:

         南洋理工大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)和北京量子信息科學(xué)研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶(一種高 κ 鈣鈦礦氧化物)與二維半導(dǎo)體集成。他們的論文發(fā)表在Nature Electronics上,可以為開發(fā)新型晶體管和電子元件開辟新的可能性。

         研究人員在水溶性犧牲層上生長了高 κ 鈣鈦礦氧化物。隨后,他們從該層中取出鈣鈦礦氧化物,并使用彈性體載體(即聚二甲基硅氧烷或 PDMS)將其轉(zhuǎn)移到兩種類型的二維半導(dǎo)體(氮氣烘箱)上。他們特別使用了二硫化鉬和二硒化鎢,這兩種不同的二維半導(dǎo)體使他們能夠分別制造 n 型和 p 型晶體管。

        Renshaw Wang 和 Yang 在一系列測試中評估了他們制造的晶體管,發(fā)現(xiàn)它們?nèi)〉昧孙@著的成果。具體而言,二硫化鉬晶體管在1 V 的電源電壓和 66 mV dec-1 的最小亞閾值擺幅下表現(xiàn)出10的八次方的開/關(guān)電流比。

        作為他們最近研究的一部分,研究人員表明,他們創(chuàng)造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補金屬氧化物半導(dǎo)體逆變器電路。未來,他們的設(shè)備可以大規(guī)模制造,用于開發(fā)低功耗的邏輯電路和微芯片。



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