SiC碳化硅（HMDS預(yù)處理系統(tǒng)）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

碳化硅原材料核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：

（1）耐高壓：更低的阻抗、更寬的禁帶寬度，能承受更大的電流和電壓，帶來(lái)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率；

（2）耐高頻：SiC器件在關(guān)斷過(guò)程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開(kāi)關(guān)速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開(kāi)關(guān)速度；

（3）耐高溫：SiC相較硅擁有更高的熱導(dǎo)率，能在更高溫度下工作。

    相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。

碳化硅晶片應(yīng)用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。   

半絕緣型碳化硅基射頻器件是通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片后進(jìn)一步制成，包括HEMT等氮化鎵射頻器件，主要用于5G通信、車(chē)載通信、國(guó)防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。

碳化硅晶片HMDS預(yù)處理系統(tǒng)性能：

涂布方式：氣相沉積

使用溫度：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

設(shè)備材質(zhì)：內(nèi)箱采用316L醫(yī)用不銹鋼

運(yùn)行方式：一鍵運(yùn)行，自動(dòng)完成工藝處理，并有結(jié)束提示音

尺寸大小：450*450*450mm

兼容性：2-12寸晶圓及方片等

儲(chǔ)液瓶：HMDS儲(chǔ)液量1000ml 

真空泵：進(jìn)口干式真空泵

數(shù)據(jù)處理：多個(gè)工藝配方存儲(chǔ)，使用數(shù)據(jù)記錄

保護(hù)裝置：低液位報(bào)警，HMDS藥液泄漏報(bào)警，超溫保護(hù)并斷開(kāi)加熱，漏電保護(hù)等