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      光刻膠涂膜中的針孔和膜厚不均解決利器--六甲基二硅氮烷HMDS真空烘箱+百級潔凈烘箱
      來源: | 作者:上海雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2025-10-24 | 229 次瀏覽 | 分享到:

        光刻膠涂膜中的針孔和膜厚不均是影響光刻圖形質(zhì)量和良率的關(guān)鍵因素。要減少這些問題,需要從基底處理、光刻膠本身、涂膠工藝參數(shù)以及環(huán)境控制等多個方面進行系統(tǒng)性的優(yōu)化。

      解決方案:

       針孔通常是微小的、貫穿光刻膠膜的缺陷,在曝光和顯影后會導(dǎo)致不應(yīng)被刻蝕的區(qū)域出現(xiàn)小孔。
      1. 徹底的基板清洗與預(yù)處理:
        · 使用標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗法去除有機、無機和金屬離子污染。
        · 在涂膠前進行脫水烘烤(例如150-200°C, 10-20分鐘),去除基板表面吸附的水分。
        · 使用增粘劑,如HMDS(六甲基二硅氮烷)真空烘箱氣相沉積。HMDS真空烘箱處理后能使親水性的基片表面變?yōu)槭杷?,極大改善光刻膠的潤濕性和附著力,這是減少針孔最有效的手段之一。


      2. 確保光刻膠的潔凈度與質(zhì)量:
        · 使用經(jīng)過精密過濾(例如0.1或0.2微米過濾器)的高純度光刻膠。
        · 遵循光刻膠的儲存和使用規(guī)范,避免過期或受污染。


      3. 優(yōu)化前烘工藝:
        · 采用軟烘程序:初始階段使用較低溫度(例如65-75°C),讓溶劑緩慢、均勻地揮發(fā),避免表面結(jié)皮。然后逐步或直接升至最終前烘溫度(例如95-105°C)以完全去除溶劑。
        · 使用熱板烘烤或百級潔凈烘箱烘烤。


      4. 嚴(yán)格控制涂膠環(huán)境:
        · 在高級別的潔凈室(如Class 100或更高)中進行涂膠操作。
        · 控制環(huán)境的溫濕度在穩(wěn)定范圍內(nèi)(例如溫度22±0.5°C, 濕度40±5%)

        


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