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      <sup id="lxhhw"></sup>
      <dfn id="lxhhw"></dfn>
      

								

	


      

      

      
	    	
       
      

     
              
      
    




      
			
      
    
      		
    
      
			
      
								
      就
      是
      對
      待
      工
      作
      的
      



      態(tài)
      度
      ，

      


      個(gè)產(chǎn)品，
      


      對待每一
      


      做到極致認(rèn)真
      


      每一個(gè)零件
      


      細(xì)
      致
      


      每一組數(shù)據(jù)
      


      


      


      

      

      


       
      


      


      


                                      
                                
			
      

      




      

      

      


       
      


      


      


      



      

        
  
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        智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
        
				  
        
 
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      • 
  
        
						
        潔凈烘箱，百級無塵烘箱
        
				  
        
 
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      • 
  
        
						
        氮?dú)夂嫦?，精密充氮烘?/div>
				  
        
 
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        LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>
				  
        
 
        • 
   
      • 
  
        
						
        熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱
        
				  
        
 
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        HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )
        
				  
        
 
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        智能型無塵無氧烘箱（PI烤箱）
        
				  
        
 
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        真空無氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱
        
				  
        
 
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        精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)
        
				  
        
 
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        超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
        
				  
        
 
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      第四代半導(dǎo)體技術(shù)原理與優(yōu)勢，為何值得期待？
      

	
	
      
		
      
	來源:半導(dǎo)體材料與工藝設(shè)備
	|
	作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部
	|
	發(fā)布時(shí)間: 2021-11-12
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      隨著以SiC與GaN為主的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用逐漸落地，被視為第四代之超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）和鉆石等新一代材料，成為下一波矚目焦點(diǎn)，特別是Ga2O3 在超高功率元件應(yīng)用有著不容小覷的潛力，而其優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)前景又究竟為何？

      Ga2O3 技術(shù)原理與優(yōu)勢

      雖然以Si基板為主的組件已主導(dǎo)現(xiàn)今科技產(chǎn)業(yè)之IC與相關(guān)之電子元件，然而此類產(chǎn)品仍面臨許多極限，無論在高功率或是高頻元件與系統(tǒng)，除不斷精進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，新興材料亦推陳出新。特別是第三代半導(dǎo)體以SiC與GaN為主之高功率元件與系統(tǒng)，在大電力與高頻元件上被賦予重任，更已陸續(xù)應(yīng)用在相關(guān)之產(chǎn)業(yè)。

      盡管如此，被視為第四代之超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）和鉆石等新一代材料，特別是Ga2O3 因其基板制作相較于SiC與GaN更容易，又因?yàn)槠涑瑢捊麕У奶匦裕共牧纤艹惺芨唠妷旱谋罎㈦妷汉团R界電場，使其在超高功率元件之應(yīng)用極具潛力。

      Ga2O3 擁有五種晶相（polymorphs）（monoclinic（β-Ga2O3），rhombohedral（α），defective spinel（γ）， cubic（δ）， or orthorhombic（ε）），且擁有約 4.5-4.9eV 的超寬禁帶與臨界電場（Ebr）高達(dá) 8 MV/cm，相較于GaN 的能隙 3.4eV，SiC 的能隙 3.3eV 都高出許多，在 Barliga 評價(jià)（BFOM）寬禁帶半導(dǎo)體的系數(shù)中 Ga2O3 高達(dá) 3444，是 SiC 的十倍、GaN 的四倍，此一系數(shù)關(guān)系著元件所能承受之最高電壓，由此 BFOM 系數(shù)也可以看到 Ga2O3 在高功率元件之應(yīng)用潛力。

      車用、光電都看好，應(yīng)用廣泛且前景可期

      Ga2O3 具備許多優(yōu)良的特性，使其可以應(yīng)用在許多方面，特別是其寬禁帶特性能在功率元件上有顯著的應(yīng)用，諸如電動(dòng)車、電力系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)電機(jī)的渦輪等都是其應(yīng)用范圍。而Ga2O3 的薄膜透明，不僅在光電元件方面可作為透明面板上的組件，光感與氣體傳感器領(lǐng)域也都可以是其應(yīng)用范圍。

      也因此Ga2O3 產(chǎn)業(yè)前景方面應(yīng)用廣泛，且潛力極大仍有許多組件等待被開發(fā)與商業(yè)化，可說是很具前瞻性的材料之一！

      Ga2O3 未來潛力值得期待，不過現(xiàn)階段仍有許多問題有待克服。



                    
      
		
      

	
      
  		
	
      



          
      
     
      	


      



 
 


 

	  
	


 
  

				
		
	
		
	
 
	





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