墨點(diǎn)烘箱，墨點(diǎn)氮?dú)夂嫦涞膩?lái)源

   隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，芯片的集成度也隨之不斷提高，使得芯片的制作工藝日趨復(fù)雜。為了保證較高的成品率，對(duì)整個(gè)芯片加工工藝流程和裝置設(shè)備的要求就會(huì)更加嚴(yán)格。在曝光過(guò)程中，由于曝光系統(tǒng)一次曝光的面積大小是有限的，因此在曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生非完全曝光的芯片。工藝過(guò)程中，為了監(jiān)控過(guò)程工藝質(zhì)量，需要對(duì)這樣的非完整芯片進(jìn)行標(biāo)識(shí)。

   傳統(tǒng)的標(biāo)識(shí)方法主要采用物理墨點(diǎn)的形式對(duì)非完整芯片進(jìn)行標(biāo)識(shí)，主要步驟為：在芯片完成過(guò)程工藝及測(cè)試后，將硅片放入物理墨點(diǎn)的設(shè)備，輸入專用程序，對(duì)第一顆非完整芯粒進(jìn)行打墨點(diǎn)工藝，待打點(diǎn)完成后，將硅片放入烘箱進(jìn)行墨點(diǎn)烘干操作。

墨點(diǎn)烘箱，墨點(diǎn)氮?dú)夂嫦?/span>性能要求：

溫度范圍：RT+10～200℃；

溫度偏差：≤±2.0℃；
升溫速度：≤5℃/min；
內(nèi)部尺寸：

450×450×450mm（4）

500×500×550mm（6）

600×600×700mm（8）

可定制

電源：AC380V 50HZ  

輸入氣體：N2
氮?dú)夂嫦浣Y(jié)構(gòu)：
箱體材料：外箱采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼或冷軋板噴塑；
內(nèi)室材料：采用SUS304不銹鋼；
保溫材料：高性能環(huán)保陶瓷纖維； 
置物架：2層；
空氣循環(huán)：強(qiáng)制循環(huán)；

  氮?dú)夂嫦溥m用于半導(dǎo)體、電子、液晶顯示、LCD、PCB,CMOS、IC、LCP、PI、BCB、醫(yī)藥、實(shí)驗(yàn)室等生產(chǎn)及科研部門。潔凈烘箱也可用于非揮發(fā)性及非易燃易爆物品的干燥、熱處理、老化等其它高溫試驗(yàn)。